高盛报告：中国半导体自给率升至70%

高盛（Goldman Sachs）2026年8月24日发布《CHIPS IV：中国半导体自给能力的构建》系列第四篇报告，回顾中国半导体自主化三年进程并更新测算。报告核心数据：中国芯片产能自给率已从2010年1月的38%升至2026年6月的70%；2030年中国半导体资本开支目标约820亿美元、较此前上调79%。本文拆解要点。

一、报告背景：三年追踪，自给率翻倍的进程

报告缘起于2023年：在人才、设备与先进制程芯片受限的背景下，高盛发布首篇报告，回答"构建自主半导体供应链需要什么、需要多少资本、成功的关键因素是什么"。三年过去，第四版给出了阶段性答案：中国芯片产能自给率（IC volume self-sufficiency）从2010年1月的38%一路升至2026年6月的70%——自主化不是口号，而是实打实的产能替代。

推动这一进程的三重力量被报告点名：一是生成式AI把供应链推向先进制程芯片的设计与制造、先进封装、Chiplet与高带宽内存（HBM）；二是客户"local for local"策略——为分散供应风险而主动多元化供应商；三是中国对自主化的持续政策承诺。

解读：38%到70%的自给率跃升，是中国半导体"用市场换时间、用时间换能力"的阶段性成绩单——但剩余30%的缺口恰恰集中在最难啃的先进制程与设备环节，自主化的下半场才是真正的硬仗。

二、资本开支：2030年目标820亿美元，上调79%

报告大幅上调了中国半导体的资本开支预期：2026-2030年中国半导体资本开支预计增长15%-79%，达到510亿至820亿美元——2030年目标约820亿美元，较此前预测上调79%，以捕捉自主化、生成式AI与"local for local"客户战略驱动的增长需求。

资本开支的投向结构清晰：成熟制程与先进制程同步扩张，其中存储与先进制程环节的投资增长尤为突出（2026-2028年同比增长强劲）——中国正在用"两条腿走路"：一边用成熟制程的规模守住基本盘，一边用先进制程的投入追赶前沿。

解读：820亿美元的上调幅度，说明中国半导体的"资本耐力"远超市场预期——自主化的本质是一场资本与时间的赛跑，持续的巨额投入既是压力测试，也是本土设备与材料厂商最确定的订单来源。

三、设备攻坚：从刻蚀沉积走向全品类覆盖

报告用自研半导体设备（SPE）地图展示能力拓展：国产设备正从刻蚀机、沉积设备向高端型号延伸——高深宽比刻蚀、原子层沉积（ALD）等，并补全离子注入、检测与量测等更完整的品类——设备自主化正从"点状突破"走向"面状覆盖"。

制造端的追赶路径同样明确：晶圆代工向7nm及以下推进，并以Chiplet与先进封装提升整体良率；AI芯片的算力目标从2023年的320 TFLOPS（FP16）跃升至4Q28的4 PFLOPS（FP8），配套SuperPods（超节点）提升系统级算力——单点性能之外，系统级能力成为新的竞争维度。

解读：从"能造设备"到"造高端设备"的跨越，是中国半导体自主化最关键的质变点——检测量测、ALD等环节的补全，决定了7nm以下产线能否摆脱"卡脖子"，其国产化进度值得紧盯。

四、存储与需求：CXMT奔50%份额，先进产能46%复合增长

报告首次系统性覆盖中国GPU与DRAM市场，并对存储龙头长鑫存储（CXMT）给出买入评级：目标价129元人民币（约24倍2027年预期市盈率），隐含约77%上行空间——预计其产能到2030年较2026年翻倍以上、达66.5万片/月，常规DRAM供应量到2028年达到三星/海力士的41%/50%（2025年为28%/35%），并拿下中国DRAM需求的50%。

需求侧的高增长同样被量化：中国晶圆需求2025-2035年以17%的复合增速增长、2035年达61.9万片/月；先进制程（7nm及以下）晶圆供给同期以46%复合增速扩张、2035年达41万片/月；AI芯片TAM三年复合增速分别达+142%/+69%/+6%；DRAM TAM 2026-2028年以50%复合增速增至2570亿美元，HBM更以188%复合增速增至320亿美元。

解读：CXMT"50%国产DRAM需求"与HBM 188%的增速，指向存储是这一轮自主化+AI双周期共振的最大受益板块——国产存储的良率爬坡速度，将直接决定中国AI算力底座的成本与自主程度。

五、前景研判：缺口收窄但全球化成本上升

报告对长期格局给出审慎乐观的判断：中国7nm及以下逻辑芯片的供需缺口预计到2035年收窄至34%——先进制程的自给能力在持续改善，但完全闭合仍需时间。与此同时，报告提示"走出去"的成本在上升——随着本土产能扩张，中国半导体需要的资本与全球市场参与度同步增加。

对投资者的含义清晰：设备（SPE）、存储（DRAM/HBM）与先进封装是自主化链条上弹性最大的三个环节——中国设备与晶圆需求的资本强度上升，将同时利好全球与本土供应链。高盛以"领导力、时间与资本"概括自主化的三个必需条件：方向已定，剩下的交给时间与投入。

解读：34%的缺口收窄目标，说明中国半导体自主化是"进行时"而非"完成时"——设备补全、存储放量、先进封装突破三条主线齐头并进；对产业链而言，未来十年最大的确定性，就是中国为补齐这34%所投入的天量资本。

六、常见问题解答（FAQ）

1. 中国半导体自给率多高了？

中国芯片产能自给率从2010年1月的38%升至2026年6月的70%。

2. 中国半导体资本开支目标多大？

2026-2030年预计510亿至820亿美元，2030年目标约820亿美元、较此前上调79%。

3. 国产设备进展如何？

从刻蚀、沉积向高深宽比刻蚀、ALD延伸，并补全离子注入、检测与量测等品类。

4. 存储龙头CXMT前景如何？

高盛给予买入评级、目标价129元；预计2028年拿下中国DRAM需求的50%，产能2030年达66.5万片/月。

5. 先进制程缺口何时收窄？

7nm及以下逻辑芯片供需缺口预计2035年收窄至34%；先进晶圆供给2025-2035年复合增速约46%。

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