欧嘉世咨询MARKETANALYSIS碳化硅MCR2025行业简析报告THEBREFYARKETANALYGSREPORTONSIUOON版权归属上海嘉世营销咨询有限公司商业合作/内容转载/更多报告
01.行业定义:第三代半导体主流材料碳化硅是一种由破和种元素组成的化合材料,具有较高硬座和优异的物理化学性能，碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点,可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。硬化硅材料率先促进半导体行业变革,并开始在更多领城添透并和硅甚技术相互补充。相较殊基半导体,以碳化硅和氧化能为代表的竞禁带半导体从材料端至界件战的性能优势突出，暴备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向时￥体材科市要第一代体材(5)及三代半导体材料复化额(GaN)碳化码(S1C)主号,2024年,付占揭市场份顺的83.4%,硬化硅约占15.1%,氯化家川约占1.5%半导体材料的发展进程第一代第二代第三代材料砷化馆、磷化烟硬化硅、氮化碳硅储量丰富且成本低,应用最为广泛,可实现高频传输强化电子特性,提高电子强度及抗辐预性优势可实现从真空管到紧凑型电子设备转换更快电子迁移车器件尺寸精巧,节能环保产业化进程制造工艺成外自按近晨优，但已达到物现性能极限宽禁带半导体处于产业化应用初期,生产工艺复杂化合物半导体在高频高功率领城逐步产业化仍有提升空间性能提升空间小广泛应用于信息化及自动化各个领域,消费电子应用光电领域，恋米波装置、卫早通信等5G,物联网、电动汽车、光电等领域通信等数据来顾:
02.行业发展:从技术突破到产业,未来将进入全球扩张周期2００8年之前，碳化硅产业商处于萌芽阶段，其发展源于关键技术的突破。19７8年,PVT晶体生长法成功改良，以此为基础，20世纪80年代末至2000年初,CREE等公司推动其初步产业化。2001年类飞液推出首款商用5C二极管，正式开启商业化应用步入21世纪10年代，技术成熟度大幅提升，产业进入培商期，SCMOSFET实现量产，应用领域拓展至光伏，工业驱动芯市场;英飞凌、CREE推出一系列SCFET产品，2014年,CREE量产了50IGBT2018年，特斯拉Mode!3大规模采用5IC模块,这一标志住事件极大提据行业信心,直接引阳市场需求。2020年至今,行业进入全球快速扩张与霓争新阶段。产能凭赛加剧,品同尺寸向日英寸迅进碳化硅行业的发展历程萌芽期(1980-2007)培育期(2008-2015）发展期(2016-至今）2008年发布了第一个增强型SICFET,意法半导体推出汽车级SIC产品，SIC进年推出GAN-ON-SIC。2011年CREE,ROHM量产SICMOSFET,入汽车领域应用。2017年,ROHM推出高可靠1700VSIC2005年,CREE生产4英寸SIC2012年英飞凌发布1200V的SICFET。产品，SIC持续向高功率发展。·2006年,SI/SIC混合模组诞生。CREE6英寸SIC产品量产。2018年特斯拉大规模采用SIC模块,推动2015年ROHM量产1200VSIC产品SIC在新能源汽车渗透。8英寸SC品圆诞生,SIC进入8英寸时代。数据来源:
03.行业前景:下游各行业替代硅基,低渗透率下未来空间广阔2020机至2024,类化类方率率要体器件市场识器增长于全球功率举导体器件市场的渗透率,由1,4%跃升至6,5%,预计2030年将达22.6%。当前行业商处早期,未来渗迅率提升空间广阔2020年至2024年，应用于XEV的碳化硅功率半导体器件全球收入,复合年增长率商达65.1%;而2024年至2030年，该领城复合年增长率仍保持36.1%的高位。光伏储能、电网、轨道交通领域，敬化硅用量亦稳步增长,未来预测期内，复合年增长率将分别达27.2%，24.5%及25.3%,家用电器、低空飞行与数据中心等新兴应用领域,碳化硅功率半导体器件展现出更快增速,全球收入预测复合年增长率预计达3９.2%。随着下游各领域逐步采用碳化硅替代硅基功率半导体,未来行业前景一片光明。碳化硅渗透率权所有喜世沟6.9%汉听有5.8%2021202220232024数的来器:公开缴表梦理：盖世咨沟研究站论:简路网楼
04.行业规模:下游需求旺盛,未来有望突破190亿美元２０20年，全球碳化硅市场规横仅6.４4亿美元。此后,新能源汽车续航提升、充电加速,推动高功率碳化硅替代传统功率半导体。同时,向太阳能、风能等可再生能源系统的转型未来，数据中心、家用电器、低空飞行等新兴领域需求爆发，曼加新能课在主要领域持续渗透,...
