嘉世咨询MARKETANALYSIS碳化硅2025行业简析报告MCRTHE BRIEF MARKET ANALYSIS REPORT ON SILICON CARBIDE01。行业定义：第三代半导体主流材料半导体材料的发展进程第一代第二代第三代材料优势硅储量丰富且成本低，应用最为广泛器件尺寸精巧，节能环保产业化进程化合物半导体在高镇高功率领域逐步产业化宽禁带半导体处于产业化应用切期，生产工艺复杂，性能提升空间小应用广泛应用于信息化及自动化各个领域，消费电子、02。行业发展：从技术突破到产业化，未来将进入全球扩张周期2008年之前，碳化硅产业尚处于萌芽阶段，其发展潭于关继技术的突破。1978年，PVT量体生长法成功改良，以气为基础，20世纪80年代未至2000年初，CREE写公司推动其初步产业化，2001年，·步入21世纪10年代，技术成恭度大椰提升，产业进入培育期。SCM0SFET实现量产，应用领域拓展至光伏、工业驱动等市场；英飞液、CREE推出一系列SiC FET产品，2014年，CREE量产了SiCIGBT.碳化硅行业的发展历程萌芽期(1980-2007)培育期(2008-2015)发展期(2016-至今)·19B7年CREE建设第一条S1C产线，19982008年发布了第一个增强型5 ICFET.年推出GAN-ON-SIC,2011年CREE、ROHM量产SIC MO5FET,入汽车领城应用。2001年英飞凌推出首款商用51C二级管。碳化硅牲进产业化。2017年，R0HM推出高可靠1700VSIC·2005年，CREE生产4英寸S1C。2012年英飞凌发布1200V的51CFET。产品，S引C持续向高功率发展。·2006年，51/51C混合模组诞生。CREE6英寸5IC产品量产。2018年特斯拉大规模采用51C模块，推动2015年R0HM量产1200V51C产品。S1C在新能源汽车渗透。03。行业前景：下游各行业替代硅基，低渗透率下未来空间广阔·2020年至2024年，碳化硅功率￥导体器件市场迅猛增长。其于全球功率单号体器件市场的渗透率，由1.4%跃升至6.5%，预计2030年将达22,6%。当前行业尚处早期，未案渗透率提升空问广。·2020年至2024年，应用于XEV的碳化硅功率半导体器件全球收入，复合年增长率高达65.1%；而2024年至2030年，该领域复合年增长率仍保特36.1%的高位。光伏储能、电网、轨道交通领域，碳化硅用量亦稳步增长，未来预测期内，复合年增长率将分别达27.2%、24.5%及253%。家用电然、低空飞行与数把中心等新兴应用锁域，碳化硅功率半导体器件展现出更快增速，全球收入税测复碳化硅渗透率806.9%5.83.7%2.4%1.4%2020202120222023202404。行业规模：下游需求旺盛，未来有望突破190亿美元·020年，全球碳化硅市场规模仅6,44亿美元。此后，新能源汽车续提升、充电加速，推动高功率碳化硅替代传统功率导体。同时，向太阳能、风能等可两生能源系统的转型，促使逆变器及电·碳化硅半导体能量转换效率卓热，能降低系统损耗，是太阳能逆变器、风力涡轮机转换然及储能系统等应用的理想之透。下游核心应用需求旺盛，驱动行业快速增长，2024年规横扩至32.4亿美元。2020-2030E碳化硅市场规模及增速（亿元：%)197.45157.96197.45%121.5157.96%71.89%0.0462.06%53.07%55.4840.50274632.4017.946.4411.0744.27%5181%25.00%202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E2030E05。产业链：上游衬底主导成本，中下游应用驱动增长·衬应制造商属于整个碳化硅率导体器件产业继的上游参与者。碳化硅衬应是以碳化硅粉末为主要原材料，经过品体生长、品加工、切、研、抛光、清洗等制造过程后形成的单片材料，是用于制作宽禁带半导体及具他碳化硅基器件的基础材料。这些村底制造商是产业链中将原材料转化为可供下游参与者使用的村底产品的关壁环节。·中下游包括器件制选商、代工制选商和修端应用。村底经过外延生长后，被用于制透各种功率器件、时频器件等。这些器件广泛应用于新能源汽车、数据中心光伏及储能、电力供应、轨道交通及新碳化硅产业链上下游上游下游原料供应商应用封装测试XEV数据中心电力供应轨道交通外延片新兴行业06。上游：成本及价值量最大，衬底保持高速增长料规格标准，并从根本上限定下游SBD、MOSFET等最终器件的性能上限。·村底产品方面，依碳化硅不同分类，可分为导电型与半绝缘型两类村底材料。全球碳化硅村底市场规模从2020年的30亿元人民币增至2024年的8B亿元人民币，复合年增长率达30.86%。预计至碳化硅村底市场规模（十亿元）846653501331332271635466120202020212022202320242025E2026E2027E202E2029E07。中游：全球被欧美大厂寡头垄断，国产化替代空间大碳化硅中游器件领城护拔河深厚，非轻易可复制之技术，需深厚技术积淀、长期工艺探素、巨题烫本投入及强大人才团队方能攻克的系统性工理。故而，全球碳化硅器件市场格局德症集中，仍由海外巨头主导。2024年全球碳化硅村底市场竞争格局0-2024年市场占比0-2025年预计市场占比000wolfspeedTankeBlueSicrystalOthers08。下游：新能源汽车应用最广泛，光伏、风电紧随其后碳化硅下游应用市场结构碳化硅材料在新能源汽车中的应用1.0%2.5%主要应用6.5%12.0%40.0%损耗辟低40%为电池充电充电速度更快19.0%15.5%供车酸设备使用其他部件（空调压缩机等）辅助系统供电与控制09。下游：数据中心、家电应用作为新兴领域，增长潜力大下游所有应用的共同驱动力都是“提升能效”和“细小体积/减轻重量”，破化硅器件通过实现电源的高功率密度和高效率，怡好击中了现代科技发展在能源和环境方西西临的核心痛点，成为支持A数据中心烟发式增长、降低其巨大能耗的关健技术解决方案，市娇潜力巨大。同时，从新能源汽车、工业等对性能和效率极魔敏感的领域开始，逐步向消费电子、家电等量大面广的领城渗透。碳化硅材料在数据中心的应用碳化硅材料在家用电器中的应用应用领城具体效益与市场前景应用领城主要座用部件(OPEX).一步提升，减少高达12%-15%的能需求10。下游：半绝缘体碳化硅，射频是主要应用·射镶应用市场增长动力充市，2024年，该市场规横达10.9亿美元。伴随5G技术普及，此炭器件正加速替代传德LDM0S技术，预计2030年市场规模将达27.5亿美元，其间复合年增长率高达16.8%，彰星巨大市场潜力与发顺速度。半绝缘体碳化硅射频应用市场规模及增速（亿美元：%）22.22%20.32%18.35%16.18%13.33%988%10.09%737%7.92%22527.52019202020212022202320242025E2026E2027E2028E2029E2030E11。企业案例：天岳先进，中国碳化硅半导体材料领域的领军企业也量率先推出12英寸碳化硅村底的企业。·日前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商[按023年收入计】中半数以上建立业务合作关系。碳化硅村底经客户制成功率器件及射额器件后，最修应用于电动汽车、数招中心及光伏系公司2020至2025年实现收入高速增长，从2022年4.17亿元大概端长至2024年17.68亿元净利端达1.79亿元。通过持续研发投入保持技术领先，天岳先进2020-2025H1营收及净利润（亿元）天岳先进2020-2025H1研发支出及同比增速（亿元：%）1AD1.371.421400.900.111007.942000-1.754.944254.1740606087%1000%20212022202320242025H1202020212022202320242025H112。企业案例：天科合达，中国碳化硅半导体材料领域的标杆企业位于北京，拥有北京研发中心及江苏、深圳等多个生产基地，产业布晨覆盖碳化硅单品炉制造、原料合成、单品生长、衬底加工及外延制备全产业链，形成“设备一材料村底-外延”一体化力，是全球少数具备碳化硅[C)村底全产业使研发与规横化生产能力的企业之一，也是国内碳化硅半导体材料领域的标杆企业。天科合达5引C村底技术发展时间轴2006201020142015201820212022202320242025公司成立，4英寸导电型6英寸产能达6英寸产能8英寸光波두累计销量破龙头，启动610万片/年50万片/年，寸导电型村货10万片，100万片，全球前五底量产(AR/AI散启动12英寸12英寸技术热)研发突破13。碳化硅行业未来发展的挑战成本压力巨大，降本需求迫切碳化硅衬底的长品环节技术壁垒极离，对温度和压力的控制要求极为苛刻。品村底是碳化硅器件成本的大头，占比高达47%。目前原材料利用率低、长品速度体生长过程中极易产生微管、位错等缺陷，这些缺陷会直接影响最终器件的性慢、生产能耗大，导致碳化硅器件的价格远高于传统硅基器件。如何通过技术改能和良率，是制均高质量、低成本量产的核心技术瓶颈。进（如向8英寸品圆过渡）和规模效应来持续降本，是市场大规模渗透的关键挑战。供需平衡与产能爬坡的挑战下游需求（尤其是新能源汽车）爆发式增长，对上游衬底产能提出了极高要求。T0P6企业占据99%的市场份额。国内企业虽然在上游村底领域有所突破，但全产然而，衬底产能扩张周期长、难度大，易出现供需失衡风险。如何精准规划产能业链能力尤共是离端器件设计制造方面仍较薄弱，国产化率不足1%，实现全面追高效爬坡，并应对可能出现的价格波动，是产业链各环节企业需要面对的经营挑赶和替代面临巨大压力。战。14。碳化硅行业未来发展的机遇市场渗透空间巨大，增长轨迹明确碳化硅功率器件正处于快速替代硅基产品的早期阶段。其渗透率预计将从2024行业增长由新能源汽车（当前最大应用领域）、光伏储能、轨道交通等核心市场年的约6.5%跃升至2030年的22.6%，这一清所且强劲的增长曲线为行业参与强劲驱动，同时，A故据中心、家用电器、低空飞行等新兴应用领蜮正展现出更者提供了巨大的市场增量空间。高的增长潜力，形成了多元化的需求格局，增强了行业发展的韧性与动力。01国产替代窗口开启，本土企业迎来机遇全球碳化硅市场规模从2020年的低位起步，正以超过50%的年均复合增长率快速当前全球碳化硅器件市场由少数国际巨头主导，国产化率极低。随着国内企业在扩容，预计到2030年将突破190亿美元。这一显著的规模扩张预示着巨大的产业村底等关键材料技术上实现突破并跻身全球前列，在供应链安全和回家玫策支持投资和价值创造机会。下，回产普代已成为行业发展的核心逻辑之一，为本土企业提供了广阀的成长空