SEMIBAY湾芯展2024年深芯盟国产半导体前道设备+第三代半导体（SiC）设备调研分析报告报告概要深芯盟半导体产业研究部对近百家国产半导体设备广商讲行统计和分析,涵盖黄膜沉积光刻、刻蚀、离子注入、量测与检测、清洗、去胶、涂胶显影、热处理设备,本报告主要内容包括半导体前道设备、第三代半导体(SiC)设备两大部分，对相关技化分析和Top10排名、此外,对干每家收录的公司,我们都从核心技术、主要产品、应用场景和市场竞争力等方面进行了全方位画像分析
SICA深芯照深圳市半导体与集成电路产业联盟(SICA)报告目录一、国产半导体前道设备1.热处理设备2.薄膜沉积设备3.CMP设备4.涂胶显影设备5.光刻设备6.刻蚀设备7.去胶设备8.离子注入设备9.清洗设备10.量测与检测设备二、国产半导体设备厂商排行榜三、第三代半导体(SiC)设备1.SiC长晶设备2.SiC切割设备3.SiC研磨设备4.SiC抛光设备5.SiC离子注入设备6.SiC退火设备Z.SiC清洗设备
深圳市半导体与集成电路产业联盟(SICA)8.SiC外延设备四、国产半导体设备厂商汇编五、结语与展望
深圳市半导体与集成电路产业联盟(SICA)国产半导体前道设备1.热处理设备热处理设备市场概况半导体执处理工艺是材料在固态下,通过加热,保温和冷却的手段,以获得预期组织和性能的加工工艺，是半导体制造过程中的一个重要环节，它包括氧化、扩散、退火、合金等多个丁艺步骤一氨沙将科甘故罗平气气成水燕气氧化刘的氮围中讲行高温执处理,在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程;扩散·指在高温条件下,利用执扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中,使其具很火:指加热扩散、离子注入等工艺后的硅片,修复带来的晶格缺陷的过程:合金:指通过在惰性气体的环境中进行低温热处理,使金属(如铝和铜》与硅基形成良好的结合,提高配线的可靠性,根据Gartner统计2022年全球热处理设备市场规模约为30亿美元;从市场结构来看全球执外理设备市场主要分为三种设备,其中快速执外理设备14.1亿美元,占比47%,室化/扩散炉10.8亿美元，占比36%从竞争格局来看,全球热处理设备市场由应用材料、TEL和日立国际电气垄断,占有率分别为46%、21%、15%，国产厂商有所突破,屹唐半导体份额约5%,北方华创份额02%根据Gartner预测，2023年全球热处理设备市场规模大约增长5%,约为31.5亿美元。据集微咨询(JW Insights)测算,2023年中国半导体热处理设备市场规模约为90亿元，未来半导体热处理市场将保持较好的上升空间预计到2028年，中国半导体热处理将超
过200亿元。25020020015010C2023图:中国半导体热处理设备市场规模(单位:亿元)资料来源:集微咨询热处理设备分类及应用将品圆放置在特定气体环境中施加执能的过程,包括氧化，扩散,退火等、执处理设备主要用于氧化、扩散、退火以及合金四类工艺，按设备形态可分为卧式炉、立式炉和快速执处理炉三类。理、可控性高的优点,目前使用最为广泛,但是卧式炉和立式炉都是将腔体与置干其中的硅片一同升降温、所以升降温速率较慢，一次可以放置100到200片晶圆、而快速执处理炉(RTP)只改变其中晶圆的温度而不改变腔体温度，因此可以进行快速退火,但只能处理单片晶圆。
SICA深芯照深圳市半导体与集成电路产业联盟(SICA)氧化/扩散炉:多用干大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺、氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理,在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。扩散是指在高温条件下,利用执扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中,使其具有特定的浓度分布,从而改变硅材料的电学特性;快速执外理设备:一种单片执外理设备,它可以将圆片的温度快速升至工艺所需要的温度（200~1300并月能够快速降沪，升/降温速率般为20~250*C4、除了能源种类多，退火时间范围宽，快速热处理（RTP）设备还具有其他优良的工艺性能,如极佳的热预个腔室可以同时运行不同的工艺过程，可以集成光化学技术等。此外,RTP设备还可以灵活、快速地转换和调节工艺气体,使得在同一个热处理过程中可以完成多段热处理工艺。尖峰退火灯退火激光退火闪光退火方式(SpikeAnnealing)pAmealing)(LaserAmealing)(FlashA...
