电脑桌面
添加运营动脉到电脑桌面
安装后可以在桌面快捷访问

东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升会员免费

东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第1页
1/42
东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第2页
2/42
东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第3页
3/42
东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第4页
4/42
东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第5页
5/42
东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第6页
6/42
东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第7页
7/42
东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第8页
8/42
东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第9页
9/42
东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升_第10页
10/42
证券分析师 :周尔双执业证书编号:S0600515090001zhoues@dwzq.com.cn证券分析师:刘晓旭执业证书编号:S0600523030005liuxx@dwzq.com.cn2023年5月26日光 伏 设 备 行 业 深 度 :低 氧 型 单 晶 炉 迎 新 一 轮 技 术 迭 代 ,助 力 N 型 硅 片 优 化 & 电 池 效 率 提 升证券研究报告·行业深度报告

目录2增 加 磁 场 为 有 效 解 决 方 案 之 一 , 具 备 一 定 经 济性2N 型 硅 片 存 同 心 圆 痛 点 , 低 氧 型 单 晶 炉 助 力 降本 增 效156本 土 相 关 公 司 介 绍低 氧 型 单 晶 炉 迎 新 一 轮 技 术 迭 代 , 市 场 空 间广 阔4投 资 建 议光 伏 磁 场 借 鉴 半 导 体 领 域 经 验 , 有 效 抑 制 对 流以 降 低 氧 等 杂 质37风 险 提 示

3新款单晶炉为何在2023年推出?⚫ 随着N型电池片,尤其是TOPCon快速放量,N型硅片需求大幅提升。TOPCon 2022年实际扩产约110GW,2023年1-4月扩产约400GW,带动N型硅片需求快速提升,而N型硅片对晶体品质和氧碳含量要求很高,要求更高的少子寿命和更低的氧含量。⚫ N型硅片容易产生由原生氧造成同心圆、黑芯片问题。主要系高温的硅溶液在坩埚里进行相对高速的对流,因为外面热中间冷,底部热上面冷,硅溶液在坩埚内会形成类似“开锅”现象,造成硅溶液内部出现流动,不停冲刷石英坩埚,而石英就是二氧化硅,其中氧会在冲刷过程中融入硅溶液,造成晶体里含有较多的氧。⚫ TOPCon更容易发生同心圆问题。TOPCon在后续的高温工艺(如B扩散)下,氧容易沉淀形成氧环即同心圆,影响效率和良率,所以TOPCon对硅片氧含量更敏感;而HJT为低温工艺,出现同心圆概率不高,可以选择高氧含量硅片。图:N型硅片要求更高的少子寿命和更低的氧含量数据来源:Solarbe,东吴证券研究所

4P型和N型的区别,为何PERC对杂质要求不高?⚫ N型电池对硅料要求比P型高。(1)转换效率上,N型电池(TOPCon、xBC、HJT)均高于P型电池(BSF、PERC)。(2)电特性及纯度上,N型表金属、体金属、受主杂质和施主杂质含量比P型少50%,少子寿命也提高了。(3)含氧量上,现有的单晶炉技术可以实现12.5ppma左右的含氧量,再往下,良率就很低,如果降低到10ppma,良率可能不到10%。数据来源:晶盛机电公告,东吴证券研究所导电类型转化效率(%)P型BSF21.5PERC23.5N型TOPcon>25xBC>25.5HJT>25类型电阻率(Ω.cm)少子寿命(μs)碳含量(ppma)受主杂质含量(ppta)施主杂质含量(ppta)体金属(ppb)表金属(ppb)P型100012000.310020011N型120015000.2501000.50.5导电类型氧含量(ppma)少子寿命(μs) 电阻率(Ω.cm)P型≤13.5≥800.4-1.1N型≤12.5≥10000.65-1.25表:多晶硅料电特性及纯度表:单晶硅片电特性表:N型和P型电池转换效率对比

5当下TOPCon一体化企业的痛点:同心圆和黑芯片问题数据来源:晶科报告,东吴证券研究所⚫TOPCon高温过程比较多(SE需要两次扩硼,温度在1050摄氏度以上,扩磷850摄氏度,LPCVD也是高温过程),高温过程会激发硅片内的氧原子形成同心圆,使效率下降。⚫缺陷分为空位缺陷和点缺陷,空位缺陷是原子来不及排列,所以中间出现了孔洞。高拉速情况下孔洞会多,掺杂磷之后孔洞缺陷会更多,过了7ppm之后,缺陷会急速上升。Topcon里的高温制程就会导致氧聚集形成缺陷,400度以上氧可以在硅片里活动,800~900度以上氧可以游动,一旦冷了凝固就不动了。氧喜欢CUP区域,氧原子堆积在一起,漏电大,一定就是不会发电的,如果氧和过渡金属复合之后,会引起局部的位错。从逻辑上,氧和杂质是N型硅片的敌人,杂质会复合掉少子,氧会聚集形成缺陷。图:TOPCon的黑芯片问题

6数据来源:晶科报告,东吴证券研究所⚫TOPCon黑芯片问题放大了HJT硅棒利用率优势:目前TOPCon存在黑芯片的问题,硅片氧含量高且在高温下氧占位了硅,造成了电池片或组件在EL检测时中心发黑的现象。目前TOPcon黑芯片占比4-5%,在企业的可接受范围内,但随着未来TOPCon对良率的要求变高,黑芯片会使得TOPCon比HJT硅棒利用...

1、当您付费下载文档后,您只拥有了使用权限,并不意味着购买了版权,文档只能用于自身使用,不得用于其他商业用途(如 [转卖]进行直接盈利或[编辑后售卖]进行间接盈利)。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。
3、如文档内容存在违规,或者侵犯商业秘密、侵犯著作权等,请点击“违规举报”。

查找下载文件的指引

一、电脑端

- Windows 系统:按下键盘快捷键 `Ctrl + J`,即可打开下载列表。  

- Mac 系统:按下键盘快捷键 `⌘ + J`,即可打开下载列表。  

二、手机端

1. 打开手机浏览器,点击浏览器右下角的 “≡”(或“更多”)图标。  

2. 在弹出的菜单中找到并点击 “下载内容”(或类似选项),即可查看已下载的文件。  

提示:不同浏览器界面略有差异,若未找到“下载”入口,可尝试在浏览器设置中搜索“下载”关键词。


东吴证券:光伏设备行业深度-低氧型单晶炉迎新一轮技术迭代-助力N型硅片优化&电池效率提升

确认删除?
会员
教程
收藏
足迹
联系
  • 站长微信
回到顶部