CFMMemory>2024-2025年全家存储市场趋势白皮书Global Memory MarketIrend White Paper20２5年３月
CATALOGUE目录第一章全球存储市场变化和技术发展分析高层数3DNANDFlash存储密度持续提升01、服务器NAND和DRAM应用占比持续增长061、QLCNAND持续改善存储性能和可靠性,适用于读取宓集型应用场号2、AIPC带动消费类PCIe4.0/5.0SSD应用增长3、PC品牌及存储厂商积极拓展海外市场第二章服务器存储产品应用与市场分析11全球AI资本支出井喷式增长,AI服务器存储需求火热全球HBM市场规模快速增长，DRAM产能向HBM倾斜2企业级PCle5.0SSD需求呈现快速增长QLCNAND技术发展进入成熟期,带动SSD进入100TB时代229六、服务器新型存储器LPCAMM/SOCAMM和MRDIMM/MCROIMM
第三章消费类存储产品应用与发展分析一、PC设备的存储应用与发展311、2025年全球PC出货小幅增长,AIPC渗透率攀升2、PCIe4.0SSD仍是主流，主控厂商助力PCle5.0SSD加速发展国产PC产业链锋芒毕露，2025年信创PC市场充满潜力智能手机终端的存储应用与发展38全球智能手机销量温和增长，品牌竞争激烈智能手机通过AI技术加持进行创新，为用户带来新体验,eMMC5.1市场需求趋于稳定，UFS3.1广泛覆盖5G机型,UFS4.0高端机型应用增加端侧大模型的普及，进一步提升手机单机容量5、手机终惴踊跃出海，全球化与本地化相结合第四章AI消费电子发展与存储应用分析一、AI眼镜产品发展与技术动向5AI下一代交互入口的技术竞速三、A重塑硬件产业的未来，打开存储应用想象空间
CMemorys全球存储市场变化和技术发展分析第一章LOPMENTS一、高层数3DNANDFlash存储密度持续提升本节要点NAND Flash追求更高的存储密度，NAND产品在读写性能、功耗、耐久、成本等方面持续优化和改善。高层数的NAND Flash将更多地采用双晶圆键合架构,通过将存储单元和外围电路分别在不同晶圆上制造后,再进行键合,3DNAND通过横向拓展和垂直堆叠以及架构优化，持续改善存储密度。尤其在人工智能、大数据运算提供重要的存力支持。在消费类市场,高密度存储顺应电子元器件轻薄化趋势，为智能手机和笔电提供了更薄更轻量化的设计支持,推动多折叠手机及超轻量笔电的发展随着NANDFlash进入200层以上超高层时代,高纵横比刻蚀和沉积的工艺复杂性增加，即便在双堆战，并且随着多晶硅通道总电阻增加，通道高度也对读取电流构成了阻碍。因此，越来越多存储原厂不再一味追求垂直堆叠的高层NAND，而是通过横向拓展多层存储孔密度、逻辑拓展单元存储比特，以及采用双晶圆键合架构，整体实现更优的NAND存储密度和读写性能。01
全球存储市场变化和技术发展分析TCHANGESANDTECHNOLOGICALDEVGLOPMENT图1:TLCNANDFlash存储密度(Gb/mm))心CFMenfory:4叫孔孔肌2722SamsungKioxia/WDSKHynixMicronYMTC来源：公开信息存储原厂最新NAND技术发展概况,如下三星：V9TLC/QLCNAND单die容量为1Tb，采用的通道孔蚀刻技术，能够基于双堆栈架构实现业内最高的单元层数，为双堆栈的286层NANDFlash。三星成功完成三堆栈的400层NAND技术开发,准备好大规模量产400层NANDFlash.SK海力士：321层NAND Flash采用3-Plug工艺技术，分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化59%，数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%。02
Memorys0美光：G9NAND为276层NAND Flash,为11.5x13.5mm的BGA封装尺寸,可减少28%的PCB面积占用，支持3.6GBps的传输速度，较上一代NAND的存储密度提高了44%。●销快/西部数据*《西部数据闪存业务于2025年2月21日完成分拆,现为闪迪SanDisk,下文办同):BiCS8218层NANDFlash采用横向微缩技术和CBA(CMOS直接键合到阵列）技术，存储密度提升超过50%，NANDV/0速度超过3,2G8/5,在写入性能和读延迟方面的改善超过20%。长江存储：NAND技术迭代至第四代晶核Xtacking4.0,NAND延续背面源极连接(BSSC）,采用混合晶圆键合结构和20孔垂直通道设计,持续改善NAND生产效率并提高产量目前,三星、SK海力士均在执行300层以上NAND的量产计划,同时原厂均对W2w(Wafer-toWafer)双晶圆键合技术产生较大的应用兴趣。W2W混合键合技术，即在两片独立晶圆上分别加工存储单元和外围电路,再利用垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合在一起。存...
