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存储芯片研究框架——DRAM深度报告分析师:陈杭登记编号:S1220519110008联系人:丛培超证券研究报告半导体行业2020年4月3日

目录一、DRAM投资逻辑框架DRAM国产替代:合肥长鑫为最大希望DRAM供需错配导致价格波动DRAM驱动力及增量市场二、详解DRAM:存储器最大细分领域三、周期&需求:周期波动及需求分析五、国内现状:大陆各DRAM厂商详解四、知己知彼:DRAM市场及竞争格局剖析

tOmQsQuMwO7NaO7NsQoOnPqRfQnNtPlOmMtM7NoPqOMYmOmPxNtQrP智能电视DRAM驱动力及增量市场资料来源:前瞻产业研究院,方正证券研究所整理居家办公在线学习家具智能化无人驾驶5G云计算DRAM三巨头其他DRAM厂商PCIoT机顶盒汽车电子智能手机基站与网络设备服务器620亿美元2018年1219亿美元2026年市场份额DRAM市场前景市场驱动力增量应用市场主要DRAM厂商全球DRAM市场规模大陆

DRAM国产替代:合肥长鑫为最大希望资料来源:方正证券研究所整理大陆DRAM厂商合作方技术来源资本合作芯片代工技术来源现状美国商务部封杀,暂时停摆尚无量产能力月产能4万片,冲击8万片

DRAM 供需与周期关系详解:供需错配导致价格波动资料来源:Bloomberg数据库、方正证券研究所整理0246810122010/112011/12011/32011/52011/72011/92011/112012/12012/32012/52012/72012/92012/112013/12013/32013/52013/72013/92013/112014/12014/32014/52014/72014/92014/112015/12015/32015/52015/72015/92015/112016/12016/32016/52016/72016/92016/112017/12017/32017/52017/72017/92017/112018/12018/32018/52018/72018/92018/112019/12019/32019/52019/72019/92019/112020/12020/32020/52020/72020/92020/112021/1DDR4 4Gb 512Mx8 2133/2400 MHzDDR4 4Gb 512Mx8 2133/2400 MHz White BrandDDR4 8Gb 1Gx8 2133/2400 MHzDDR4 8Gb 1Gx8 2133/2400 MHz White BrandDDR3 4Gb 512Mx8 1333/1600MHzDDR3 4Gb 512Mx8 White BrandDDR3 4Gb 256Mx16 1333/1600MHzDDR3 4Gb 256Mx16 White BrandDDR3 2Gb 256Mx8 White BrandDDR3 2Gb 256Mx8 1333MHzDDR3 2Gb 128Mx16 1333/1600MHzDDR3 4Gb 256Mx16 White Brand⚫ 2019年达到周期底部,2020年上行周期开启。 2020年上半年受新冠疫情影响,服务器、智能手机、PC需求激增带动DRAM价格迅速回升,新一轮上升的大趋势基本确定。从历史数据及我们推演,DRAM行业周期上行通常将持续两年,看好2021-2022年DRAM行业保持稳定增长。单价(美金)

目录DRAM 分类及技术路径DRAM 未来技术及制程DRAM 定义与结构一、DRAM投资逻辑框架五、国内现状:大陆各DRAM厂商详解四、知己知彼:DRAM市场及竞争格局剖析二、详解DRAM:存储器最大细分领域三、周期&需求:周期波动及需求分析DRAM 历史与发展

资料来源:联想创投,方正证券研究所整理DRAM定义与结构:易失性存储器⚫ 半导体存储从应用上可划分为易失性存储器(RAM,包括DRAM和SRAM等),以及非易失性存储器(ROM和非ROM)。存储器磁性存储半导体存储易失性存储其他RAMMRAM等SRAMDRAMRAM非易失性存储光学存储NAND非Flash类FlashROMNOR非ROM类PCM等存储器分类磁带机械硬盘软盘蓝光DVDCDPROMSLCQLCTLCMLCOTPROMEEPROMEPROM

资料来源:电子工程世界,Semiconductor Engineering,方正证券研究所整理DRAM定义与结构:易失性存储器⚫ 动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)同属于易失性存储器,在断电状态下数据会丢失。两者因结构不同,其应用场景有很大的不同。⚫ DRAM利用电容储存电荷多少来存储数据,需要定时刷新电路克服电容漏电问题,读写速度比SRAM慢,常用于容量大的主存储器,如计算机、智能手机、服务器内存等。⚫ SRAM读写速度快,制造成本高,常用于对容量要求较小的高速缓冲存储器,如CPU一级、二级缓存等。DRAM和SRAM对比DRAMSRAM晶圆结构图速度较慢较快容量大小单成本便宜贵用例主内存1级和2级微处理器缓存密度每个单元的密度低每个单元密度更密集功率高低磁带HDD、光盘NAND、NORPCMDRAMSRAM各级存储器性能和价格变化趋势

DRAM定义与结构:晶体管结构、Bit CellDRAM属于临时存储...

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